Vishay Siliconix - SI7703EDN-T1-E3

KEY Part #: K6397612

SI7703EDN-T1-E3 Цэнаўтварэнне (USD) [135773шт шт]

  • 1 pcs$0.27242
  • 3,000 pcs$0.25581

Частка нумар:
SI7703EDN-T1-E3
Вытворца:
Vishay Siliconix
Падрабязнае апісанне:
MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Дыёды - РФ, Тырыстары - TRIAC, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Дыёды - Зэнер - Масівы and Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Siliconix SI7703EDN-T1-E3. SI7703EDN-T1-E3 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7703EDN-T1-E3 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : SI7703EDN-T1-E3
Вытворца : Vishay Siliconix
Апісанне : MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8
Серыя : TrenchFET®
Статус часткі : Active
Тып FET : P-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 20V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 4.3A (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 48 mOhm @ 6.3A, 4.5V
Vgs (й) (Max) @ Id : 1V @ 800µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 18nC @ 4.5V
Vgs (макс.) : ±12V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : -
Функцыя FET : Schottky Diode (Isolated)
Рассейванне магутнасці (макс.) : 1.3W (Ta)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : PowerPAK® 1212-8
Пакет / футляр : PowerPAK® 1212-8

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • FDD86250

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 150V 8A DPAK.

  • FDD9407L-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 100A.

  • FDD86250-F085

    ON Semiconductor

    NMOS DPAK 150V 22 MOHM.

  • TK290A65Y,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220SIS.

  • TK22A10N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 52A TO-220.

  • TK35A08N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 80V 35A TO-220.