Microsemi Corporation - 1N5416US

KEY Part #: K6440953

Катэгорыі сям'і:: KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - SCR - Модулі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ and Транзістары - IGBT - Модулі ...

Канкурэнтная перавага:: Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Microsemi Corporation 1N5416US. 1N5416US можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com

Частка нумар : 1N5416US

Вытворца : Microsemi Corporation

Апісанне : DIODE GEN PURP 100V 3A D5B

Серыя : -

Статус часткі : Active

Дыёдны тып : Standard

Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 100V

Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 3A

Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1.5V @ 9A

Хуткасць : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 150ns

Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 1µA @ 100V

Ёмістасць @ Vr, F : -

Тып мантажу : Surface Mount

Пакет / футляр : E-MELF

Пакет прылад пастаўшчыка : D-5B

Працоўная тэмпература - развязка : -65°C ~ 175°C

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў

RURD420S9A_T

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 200V 4A TO252.
VS-20ETF10PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 1KV 20A TO220FP.
UHB10FT-E3/4W

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 300V 10A TO263AB.
VS-E4PU3006L-N3

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD. Rectifiers 600V 30A FRED Pt TO-247 LL 2L
SS24SHE3J_A/H

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 40V 2A DO214AC.
SS23SHE3_A/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 30V 2A DO214AC.

Гарачыя часткі