Diodes Incorporated - RS1DB-13-F

KEY Part #: K6455018

RS1DB-13-F Цэнаўтварэнне (USD) [963938шт шт]

  • 1 pcs$0.03856
  • 3,000 pcs$0.03837
  • 6,000 pcs$0.03624
  • 15,000 pcs$0.03304
  • 30,000 pcs$0.03091

Частка нумар:
RS1DB-13-F
Вытворца:
Diodes Incorporated
Падрабязнае апісанне:
DIODE GEN PURP 200V 1A SMB. Rectifiers 1.0A 200V
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Тырыстары - TRIAC, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Транзістары - IGBT - Модулі, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Дыёды - Зэнер - Масівы and Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Diodes Incorporated RS1DB-13-F. RS1DB-13-F можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RS1DB-13-F Атрыбуты прадукту

Частка нумар : RS1DB-13-F
Вытворца : Diodes Incorporated
Апісанне : DIODE GEN PURP 200V 1A SMB
Серыя : -
Статус часткі : Active
Дыёдны тып : Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 200V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 1A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1.3V @ 1A
Хуткасць : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 150ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 5µA @ 200V
Ёмістасць @ Vr, F : 15pF @ 4V, 1MHz
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет / футляр : DO-214AA, SMB
Пакет прылад пастаўшчыка : SMB
Працоўная тэмпература - развязка : -65°C ~ 150°C

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • CSD01060E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 600V 1A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers 1A 600V SIC SCHOTTKY DIODE

  • RURD660S9A

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 600V 6A TO252-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 6A 600V

  • BAS116E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • VS-30WQ06FNHM3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 3.5A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3

  • 50WQ10FNTR

    SMC Diode Solutions

    DIODE SCHOTTKY 100V DPAK.

  • VS-30EPH03PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 300V 30A TO247AC. Rectifiers 300 Volt 30 Amp