IXYS - IXFK210N30X3

KEY Part #: K6398585

IXFK210N30X3 Цэнаўтварэнне (USD) [4100шт шт]

  • 1 pcs$10.56324

Частка нумар:
IXFK210N30X3
Вытворца:
IXYS
Падрабязнае апісанне:
300V/210A ULTRA JUNCTION X3-CLAS.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Дыёды - Зэнер - Масівы, Транзістары - JFET, Транзістары - IGBT - Модулі, Транзістары - IGBT - масівы, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы and Модулі драйвераў харчавання ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах IXYS IXFK210N30X3. IXFK210N30X3 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFK210N30X3 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IXFK210N30X3
Вытворца : IXYS
Апісанне : 300V/210A ULTRA JUNCTION X3-CLAS
Серыя : HiPerFET™
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 300V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 210A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.5 mOhm @ 105A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4.5V @ 8mA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 375nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 24.2nF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 1250W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-264
Пакет / футляр : TO-264-3, TO-264AA

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • TN0610N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 100V 500MA TO92-3.

  • VN0606L-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 330MA TO92-3.

  • VP0808L-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 80V 0.28A TO92-3.

  • VN2460N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 600V 0.16A TO92-3.

  • TP2540N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 400V 0.086A TO92-3.

  • VN0808L-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 80V 300MA TO92-3.