Vishay Siliconix - SQJ500AEP-T1_GE3

KEY Part #: K6523149

SQJ500AEP-T1_GE3 Цэнаўтварэнне (USD) [133641шт шт]

  • 1 pcs$0.27677
  • 3,000 pcs$0.23388

Частка нумар:
SQJ500AEP-T1_GE3
Вытворца:
Vishay Siliconix
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N/P CHAN 40V SO8L DUAL.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - Зэнер - Масівы, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - JFET, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап and Транзістары - IGBT - масівы ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Siliconix SQJ500AEP-T1_GE3. SQJ500AEP-T1_GE3 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQJ500AEP-T1_GE3 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : SQJ500AEP-T1_GE3
Вытворца : Vishay Siliconix
Апісанне : MOSFET N/P CHAN 40V SO8L DUAL
Серыя : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Статус часткі : Active
Тып FET : N and P-Channel
Функцыя FET : -
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 40V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 27 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 2.3V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 38.1nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 1850pF @ 20V
Магутнасць - Макс : 48W
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет / футляр : PowerPAK® SO-8 Dual
Пакет прылад пастаўшчыка : PowerPAK® SO-8 Dual

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў