Частка нумар :
IPS70R950CEAKMA1
Вытворца :
Infineon Technologies
Апісанне :
MOSFET NCH 700V 7.4A TO251
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
700V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
7.4A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
950 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id :
3.5V @ 150µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
15.3nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
328pF @ 100V
Функцыя FET :
Super Junction
Рассейванне магутнасці (макс.) :
68W (Tc)
Працоўная тэмпература :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу :
Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка :
PG-TO251
Пакет / футляр :
TO-251-3 Stub Leads, IPak