Infineon Technologies - 2LS20017E42W36702NOSA1

KEY Part #: K6532594

2LS20017E42W36702NOSA1 Цэнаўтварэнне (USD) [15шт шт]

  • 1 pcs$2166.92642

Частка нумар:
2LS20017E42W36702NOSA1
Вытворца:
Infineon Technologies
Падрабязнае апісанне:
IGBT MODULE 1700V 20A.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Модулі драйвераў харчавання, Тырыстары - TRIAC, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Транзістары - JFET and Тырыстары - SCR - Модулі ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies 2LS20017E42W36702NOSA1. 2LS20017E42W36702NOSA1 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

2LS20017E42W36702NOSA1 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : 2LS20017E42W36702NOSA1
Вытворца : Infineon Technologies
Апісанне : IGBT MODULE 1700V 20A
Серыя : *
Статус часткі : Not For New Designs
Тып IGBT : -
Канфігурацыя : -
Напружанне - Разбіўка выпраменьвальніка (макс.) : -
Ток - калекцыянер (Ic) (макс.) : -
Магутнасць - Макс : -
Vce (на) (Max) @ Vge, Ic : -
Ток - адключэнне калекцыі (макс.) : -
Ёмістасць уводу (Cies) @ Vce : -
Увод : -
NTC-цеплавізатар : -
Працоўная тэмпература : -
Тып мантажу : -
Пакет / футляр : -
Пакет прылад пастаўшчыка : -

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • VS-ENQ030L120S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B. Rectifiers 30A Neutral Point Clamp Topology

  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV362M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2.

  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • A2C35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.

  • A2C25S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.