Microsemi Corporation - APTGT100A170D1G

KEY Part #: K6534092

Катэгорыі сям'і:: KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - JFET, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Дыёды - РФ, Тырыстары - DIAC, SIDAC and Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя ...

Канкурэнтная перавага:: Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Microsemi Corporation APTGT100A170D1G. APTGT100A170D1G можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com

Частка нумар : APTGT100A170D1G

Вытворца : Microsemi Corporation

Апісанне : IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1

Серыя : -

Статус часткі : Discontinued at Digi-Key

Тып IGBT : Trench Field Stop

Канфігурацыя : Half Bridge

Напружанне - Разбіўка выпраменьвальніка (макс.) : 1700V

Ток - калекцыянер (Ic) (макс.) : 200A

Магутнасць - Макс : 695W

Vce (на) (Max) @ Vge, Ic : 2.4V @ 15V, 100A

Ток - адключэнне калекцыі (макс.) : 3mA

Ёмістасць уводу (Cies) @ Vce : 8.5nF @ 25V

Увод : Standard

NTC-цеплавізатар : No

Працоўная тэмпература : -40°C ~ 150°C (TJ)

Тып мантажу : Chassis Mount

Пакет / футляр : D1

Пакет прылад пастаўшчыка : D1

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў

VS-GB90DA120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 149A 862W SOT-227.
APTGF350DA60G

Microsemi Corporation

IGBT 600V 430A 1562W SP6.
APTGT100A120D1G

Microsemi Corporation

IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1.
APTGF90DU60TG

Microsemi Corporation

IGBT MODULE NPT DUAL SOURCE SP4.
APTGF90A60T1G

Microsemi Corporation

POWER MOD IGBT NPT PHASE LEG SP1.
APTGF75H120TG

Microsemi Corporation

POWER MODULE IGBT 1200V 75A SP4.

Гарачыя часткі