Infineon Technologies - IPW60R080P7XKSA1

KEY Part #: K6416145

IPW60R080P7XKSA1 Цэнаўтварэнне (USD) [12758шт шт]

  • 1 pcs$2.95269
  • 10 pcs$2.63759
  • 100 pcs$2.16278
  • 500 pcs$1.75131
  • 1,000 pcs$1.47701

Частка нумар:
IPW60R080P7XKSA1
Вытворца:
Infineon Technologies
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - TRIAC, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Тырыстары - SCR, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Модулі драйвераў харчавання, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п and Транзістары - JFET ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies IPW60R080P7XKSA1. IPW60R080P7XKSA1 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPW60R080P7XKSA1 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IPW60R080P7XKSA1
Вытворца : Infineon Technologies
Апісанне : MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3
Серыя : CoolMOS™ P7
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 600V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 37A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 80 mOhm @ 11.8A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4V @ 590µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 51nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 2180pF @ 400V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 129W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : PG-TO247-3
Пакет / футляр : TO-247-3

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • IRF5803TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP.

  • IRF5802TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP.

  • IRFR5305TRLPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 55V 31A DPAK.

  • PSMN4R5-40PS,127

    Nexperia USA Inc.

    MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB.

  • SI3139K-TP

    Micro Commercial Co

    P-CHANNEL MOSFET SOT-723 PACKAG.

  • FDG311N

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6.