Infineon Technologies - IRFS7530TRLPBF

KEY Part #: K6417878

IRFS7530TRLPBF Цэнаўтварэнне (USD) [44681шт шт]

  • 1 pcs$0.87508
  • 800 pcs$0.75333

Частка нумар:
IRFS7530TRLPBF
Вытворца:
Infineon Technologies
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N CH 60V 195A D2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - JFET, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап and Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies IRFS7530TRLPBF. IRFS7530TRLPBF можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFS7530TRLPBF Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IRFS7530TRLPBF
Вытворца : Infineon Technologies
Апісанне : MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
Серыя : HEXFET®, StrongIRFET™
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 60V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 195A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 3.7V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 411nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 13703pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 375W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : D²PAK (TO-263AB)
Пакет / футляр : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • BS107P

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3.

  • IRFR3607TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 75V 56A DPAK.

  • IXTY2N100P

    IXYS

    MOSFET N-CH 1000V 2A TO-252.

  • TK8A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N CH 600V 8A TO-220SIS.

  • SPA11N60CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3.

  • IPA65R190E6XKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220.