Частка нумар :
APTGT200A120G
Вытворца :
Microsemi Corporation
Апісанне :
POWER MODULE IGBT 1200V 200A SP6
Тып IGBT :
Trench Field Stop
Канфігурацыя :
Half Bridge
Напружанне - Разбіўка выпраменьвальніка (макс.) :
1200V
Ток - калекцыянер (Ic) (макс.) :
280A
Vce (на) (Max) @ Vge, Ic :
2.1V @ 15V, 200A
Ток - адключэнне калекцыі (макс.) :
350µA
Ёмістасць уводу (Cies) @ Vce :
14nF @ 25V
Працоўная тэмпература :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу :
Chassis Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
SP6