Vishay Semiconductor Diodes Division - ES3GHE3_A/H

KEY Part #: K6442903

ES3GHE3_A/H Цэнаўтварэнне (USD) [209688шт шт]

  • 1 pcs$0.17639
  • 1,700 pcs$0.13289

Частка нумар:
ES3GHE3_A/H
Вытворца:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Падрабязнае апісанне:
DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB. Rectifiers 400 Volt 3.0A 35ns Glass Passivated
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Дыёды - РФ, Транзістары - IGBT - масівы, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі and Транзістары - JFET ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Semiconductor Diodes Division ES3GHE3_A/H. ES3GHE3_A/H можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ES3GHE3_A/H Атрыбуты прадукту

Частка нумар : ES3GHE3_A/H
Вытворца : Vishay Semiconductor Diodes Division
Апісанне : DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
Серыя : Automotive, AEC-Q101
Статус часткі : Active
Дыёдны тып : Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 400V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 3A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1.1V @ 3A
Хуткасць : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 50ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 10µA @ 400V
Ёмістасць @ Vr, F : 30pF @ 4V, 1MHz
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет / футляр : DO-214AB, SMC
Пакет прылад пастаўшчыка : DO-214AB (SMC)
Працоўная тэмпература - развязка : -55°C ~ 150°C

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • VS-8EWS16STRRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.6KV 8A D-PAK.

  • VS-8EWS16STRLPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.6KV 8A D-PAK.

  • VS-8EWS16STRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.6KV 8A D-PAK.

  • VS-8EWS12STRRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK.

  • VS-8EWS12STRLPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK.

  • VS-8EWS08STRRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 8A D-PAK.