Microsemi Corporation - APT200GT60JR

KEY Part #: K6532747

APT200GT60JR Цэнаўтварэнне (USD) [2385шт шт]

  • 1 pcs$18.24635
  • 12 pcs$18.15557

Частка нумар:
APT200GT60JR
Вытворца:
Microsemi Corporation
Падрабязнае апісанне:
IGBT 600V 195A ISOTOP.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Тырыстары - SCR, Тырыстары - SCR - Модулі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors) and Дыёды - выпрамнікі - масівы ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Microsemi Corporation APT200GT60JR. APT200GT60JR можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT200GT60JR Атрыбуты прадукту

Частка нумар : APT200GT60JR
Вытворца : Microsemi Corporation
Апісанне : IGBT 600V 195A ISOTOP
Серыя : Thunderbolt IGBT®
Статус часткі : Active
Тып IGBT : NPT
Канфігурацыя : Single
Напружанне - Разбіўка выпраменьвальніка (макс.) : 600V
Ток - калекцыянер (Ic) (макс.) : 195A
Магутнасць - Макс : 500W
Vce (на) (Max) @ Vge, Ic : 2.5V @ 15V, 200A
Ток - адключэнне калекцыі (макс.) : 25µA
Ёмістасць уводу (Cies) @ Vce : 8.65nF @ 25V
Увод : Standard
NTC-цеплавізатар : No
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Chassis Mount
Пакет / футляр : SOT-227-4, miniBLOC
Пакет прылад пастаўшчыка : SOT-227

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • VS-GB90SA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • VS-GB90DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • VS-GB75NA60UF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 70A HS CHOPPER SOT-227. Rectifiers Output & SW Modules SOT-227 IGBT