ON Semiconductor - FQD2N60TF

KEY Part #: K6410704

[14045шт шт]


    Частка нумар:
    FQD2N60TF
    Вытворца:
    ON Semiconductor
    Падрабязнае апісанне:
    MOSFET N-CH 600V 2A DPAK.
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Тырыстары - TRIAC, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - IGBT - масівы and Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах ON Semiconductor FQD2N60TF. FQD2N60TF можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FQD2N60TF Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : FQD2N60TF
    Вытворца : ON Semiconductor
    Апісанне : MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
    Серыя : QFET®
    Статус часткі : Obsolete
    Тып FET : N-Channel
    Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
    Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 600V
    Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 2A (Tc)
    Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.7 Ohm @ 1A, 10V
    Vgs (й) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
    Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 11nC @ 10V
    Vgs (макс.) : ±30V
    Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 350pF @ 25V
    Функцыя FET : -
    Рассейванне магутнасці (макс.) : 2.5W (Ta), 45W (Tc)
    Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Тып мантажу : Surface Mount
    Пакет прылад пастаўшчыка : D-Pak
    Пакет / футляр : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
    • ZVN3310A

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3.

    • HUF76619D3S

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 100V 18A DPAK.

    • HUFA75321D3S

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 55V 20A DPAK.

    • HUF76619D3ST

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 100V 18A DPAK.

    • HUFA76619D3ST

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 100V 18A DPAK.

    • HUFA76619D3S

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 100V 18A DPAK.