Microsemi Corporation - APT50GF60JU2

KEY Part #: K6532570

APT50GF60JU2 Цэнаўтварэнне (USD) [4027шт шт]

  • 1 pcs$10.75783
  • 10 pcs$9.94890

Частка нумар:
APT50GF60JU2
Вытворца:
Microsemi Corporation
Падрабязнае апісанне:
IGBT 600V 75A 277W SOT227.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - IGBT - масівы, Транзістары - JFET, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - IGBT - адзінкавыя and Транзістары - IGBT - Модулі ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Microsemi Corporation APT50GF60JU2. APT50GF60JU2 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT50GF60JU2 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : APT50GF60JU2
Вытворца : Microsemi Corporation
Апісанне : IGBT 600V 75A 277W SOT227
Серыя : -
Статус часткі : Obsolete
Тып IGBT : NPT
Канфігурацыя : Single
Напружанне - Разбіўка выпраменьвальніка (макс.) : 600V
Ток - калекцыянер (Ic) (макс.) : 75A
Магутнасць - Макс : 277W
Vce (на) (Max) @ Vge, Ic : 2.7V @ 15V, 50A
Ток - адключэнне калекцыі (макс.) : 40µA
Ёмістасць уводу (Cies) @ Vce : 2.25nF @ 25V
Увод : Standard
NTC-цеплавізатар : No
Працоўная тэмпература : -
Тып мантажу : Chassis Mount
Пакет / футляр : ISOTOP
Пакет прылад пастаўшчыка : SOT-227

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • VS-ENQ030L120S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B. Rectifiers 30A Neutral Point Clamp Topology

  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV362M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2.

  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • A2C35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.

  • A2C25S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.