Частка нумар :
FQT1N60CTF-WS
Вытворца :
ON Semiconductor
Апісанне :
MOSFET N-CH 600V 0.2A SOT-223-4
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
600V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
200mA (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
11.5 Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
6.2nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
170pF @ 25V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
2.1W (Tc)
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
SOT-223-4
Пакет / футляр :
TO-261-4, TO-261AA