V8PAM12-M3/I Цэнаўтварэнне (USD) [556674шт шт]
- 1 pcs$0.06644
- Частка нумар:
- V8PAM12-M3/I
- Вытворца:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Падрабязнае апісанне:
- DIODE SCHOTTKY 120V 8A DO221BC. Schottky Diodes & Rectifiers If 8A Vrrm 120V Ifsm 100A
- Manufacturer's standard lead time:
- У наяўнасці
- Тэрмін прыдатнасці:
- Адзін год
- Фішка ад:
- Ганконг
- RoHS:
- Спосаб аплаты:
-
- Адгрузка спосабам:
- Катэгорыі сям'і:
- KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - выпрамнікі - масівы, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Транзістары - JFET, Тырыстары - TRIAC, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя and Модулі драйвераў харчавання ...
- Канкурэнтная перавага:
- Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Semiconductor Diodes Division V8PAM12-M3/I. V8PAM12-M3/I можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
V8PAM12-M3/I Атрыбуты прадукту
Частка нумар :
V8PAM12-M3/I
Вытворца :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Апісанне :
DIODE SCHOTTKY 120V 8A DO221BC
Серыя :
eSMP®, TMBS®
Статус часткі :
Active
Дыёдны тып :
Schottky
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) :
120V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) :
8A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі :
880mV @ 8A
Хуткасць :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) :
-
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr :
500µA @ 120V
Ёмістасць @ Vr, F :
730pF @ 4V, 1MHz
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет / футляр :
DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad
Пакет прылад пастаўшчыка :
DO-221BC (SMPA)
Працоўная тэмпература - развязка :
-40°C ~ 175°C
Апошнія навіны
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
-
VS-3EJH02HM3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 3A DO221AC. Rectifiers Hyperfst 3A 200V Fred Pt Rfr AEC-Q101
-
VS-3EJH01HM3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 3A DO221AC. Rectifiers Hyperfst 3A 100V Fred Pt Rfr AEC-Q101
-
S1AFG-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 1A DO221AC. Rectifiers 1A, 400V, SLIM SMA, STD GPP, SM RECT
-
S1AFK-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 800V 1A DO221AC. Rectifiers 1A, 800V, SLIM SMA, STD GPP, SM RECT
-
VS-2EJH02HM3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 2A DO221AC. Rectifiers Hyperfst 2A 200V Fred Pt Rfr AEC-Q101
-
VS-3EJH01HM3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 3A DO221AC. Rectifiers Hyperfst 3A 100V Fred Pt Rfr AEC-Q101
Гарачыя часткі
- MBR0520L_G
- SB540-B
- RL102-N-0-4-AP
- CR3F-060GPP BK
- CD0603-B0130
- 1N4006 BK
- 1N4936GP-M3/73
- AK 09
- FMY-1036S
- VS-VSKE270-20
- CD214B-B160LF
- CDBMTS230-HF
- CDBMT150-HF
- IDV05S60CXKSA1
- IDT05S60CHKSA1
- DSB5821
- SSA23LHE3/5AT
- GP10GHE3/73
- FFPF15UP20STTU
- FFD06UP20S
- CEFB104-G
- VS-8ETL06SPBF
- FR1A-13-F
- BYD37M,115
- 10ETF10S
- HER601-T
- FR302-T
- MBRS2040LT3H
- BY133-TP
- 1A5-TP
- GIB1402-E3/81
- SK86C R7G
- VS-15EVH06-M3/I
- UH4PCCHM3_A/H
- STTH3R02AFY
- 1N4947GP-E3/53
- U2D-M3/52T
- RBR3LAM30BTFTR
- RGP10JE-E3/54
- BYW27-200GP-E3/54