Vishay Siliconix - SQD50N04-5M6L_GE3

KEY Part #: K6420065

SQD50N04-5M6L_GE3 Цэнаўтварэнне (USD) [157040шт шт]

  • 1 pcs$0.23553

Частка нумар:
SQD50N04-5M6L_GE3
Вытворца:
Vishay Siliconix
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Дыёды - РФ, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Транзістары - JFET and Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Siliconix SQD50N04-5M6L_GE3. SQD50N04-5M6L_GE3 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQD50N04-5M6L_GE3 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : SQD50N04-5M6L_GE3
Вытворца : Vishay Siliconix
Апісанне : MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
Серыя : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 40V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 50A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.6 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 75nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 4000pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 71W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-252AA
Пакет / футляр : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў