Vishay Siliconix - SQD100N04-3M6_GE3

KEY Part #: K6419587

SQD100N04-3M6_GE3 Цэнаўтварэнне (USD) [119955шт шт]

  • 1 pcs$0.30834

Частка нумар:
SQD100N04-3M6_GE3
Вытворца:
Vishay Siliconix
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - IGBT - Модулі, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Дыёды - Зэнер - Масівы, Тырыстары - SCR - Модулі and Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Siliconix SQD100N04-3M6_GE3. SQD100N04-3M6_GE3 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQD100N04-3M6_GE3 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : SQD100N04-3M6_GE3
Вытворца : Vishay Siliconix
Апісанне : MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 40V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 100A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.6 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 105nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 6700pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 136W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-252AA
Пакет / футляр : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў