GeneSiC Semiconductor - GB10SLT12-214

KEY Part #: K6444776

Катэгорыі сям'і:: KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Транзістары - JFET, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - IGBT - Модулі, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п and Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ ...

Канкурэнтная перавага:: Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах GeneSiC Semiconductor GB10SLT12-214. GB10SLT12-214 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com

Частка нумар : GB10SLT12-214

Вытворца : GeneSiC Semiconductor

Апісанне : SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A

Серыя : *

Статус часткі : Discontinued at Digi-Key

Дыёдны тып : -

Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : -

Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : -

Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : -

Хуткасць : -

Рэверсны час аднаўлення (TRR) : -

Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : -

Ёмістасць @ Vr, F : -

Тып мантажу : -

Пакет / футляр : -

Пакет прылад пастаўшчыка : -

Працоўная тэмпература - развязка : -

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў

US1GHE3/5AT

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC.
SS16HE3/5AT

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO214AC.
SS210-E3/52T

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 100V 1.5A DO214AA. Schottky Diodes & Rectifiers 100 Volt 1.5 Amp 75 Amp IFSM
GI818-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AC.
SS10PH10HM3_A/H

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers SOA 100V SM Schottky Rect
VS-4ESH02HM3/86A

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 200V 4A TO277A.

Гарачыя часткі