Частка нумар :
IPN50R3K0CEATMA1
Вытворца :
Infineon Technologies
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
500V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
2.6A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3 Ohm @ 400mA, 13V
Vgs (й) (Max) @ Id :
3.5V @ 30µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
4.3nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
84pF @ 100V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
5W (Tc)
Працоўная тэмпература :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
PG-SOT223
Пакет / футляр :
SOT-223-3