Microsemi Corporation - APT50GP60J

KEY Part #: K6534331

APT50GP60J Цэнаўтварэнне (USD) [4312шт шт]

  • 16 pcs$14.50390

Частка нумар:
APT50GP60J
Вытворца:
Microsemi Corporation
Падрабязнае апісанне:
IGBT 600V 100A 329W SOT227.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - Зэнер - Масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Транзістары - JFET, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ and Транзістары - IGBT - адзінкавыя ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Microsemi Corporation APT50GP60J. APT50GP60J можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT50GP60J Атрыбуты прадукту

Частка нумар : APT50GP60J
Вытворца : Microsemi Corporation
Апісанне : IGBT 600V 100A 329W SOT227
Серыя : POWER MOS 7®
Статус часткі : Active
Тып IGBT : PT
Канфігурацыя : Single
Напружанне - Разбіўка выпраменьвальніка (макс.) : 600V
Ток - калекцыянер (Ic) (макс.) : 100A
Магутнасць - Макс : 329W
Vce (на) (Max) @ Vge, Ic : 2.7V @ 15V, 50A
Ток - адключэнне калекцыі (макс.) : 500µA
Ёмістасць уводу (Cies) @ Vce : 5.7nF @ 25V
Увод : Standard
NTC-цеплавізатар : No
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Chassis Mount
Пакет / футляр : SOT-227-4, miniBLOC
Пакет прылад пастаўшчыка : ISOTOP®

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • GA400TD25S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT FAST 250V 400A INT-A-PAK.

  • CPV364M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 15A IMS-2.

  • CPV363M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 9A IMS-2.

  • GA200SA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT UFAST 600V 100A SOT227.

  • GA200SA60S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT STD 600V 100A SOT227.

  • STGE50NB60HD

    STMicroelectronics

    IGBT N-CHAN 600V 50A ISOTOP.