Infineon Technologies - BSP135H6327XTSA1

KEY Part #: K6419875

BSP135H6327XTSA1 Цэнаўтварэнне (USD) [140794шт шт]

  • 1 pcs$0.26271
  • 1,000 pcs$0.23558

Частка нумар:
BSP135H6327XTSA1
Вытворца:
Infineon Technologies
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Модулі драйвераў харчавання, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Дыёды - Зэнер - Адзінокі and Транзістары - JFET ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies BSP135H6327XTSA1. BSP135H6327XTSA1 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSP135H6327XTSA1 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : BSP135H6327XTSA1
Вытворца : Infineon Technologies
Апісанне : MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
Серыя : SIPMOS®
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 600V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 120mA (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 0V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 45 Ohm @ 120mA, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 1V @ 94µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 4.9nC @ 5V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 146pF @ 25V
Функцыя FET : Depletion Mode
Рассейванне магутнасці (макс.) : 1.8W (Ta)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : SOT-223-4
Пакет / футляр : TO-261-4, TO-261AA

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў