Microsemi Corporation - APTGF50DSK120T3G

KEY Part #: K6533676

Катэгорыі сям'і:: KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - JFET, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Дыёды - Зэнер - Масівы, Транзістары - IGBT - Модулі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Модулі драйвераў харчавання and Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ ...

Канкурэнтная перавага:: Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Microsemi Corporation APTGF50DSK120T3G. APTGF50DSK120T3G можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com

Частка нумар : APTGF50DSK120T3G

Вытворца : Microsemi Corporation

Апісанне : MOD IGBT NPT 1200V 70A SP3

Серыя : -

Статус часткі : Obsolete

Тып IGBT : NPT

Канфігурацыя : Dual Buck Chopper

Напружанне - Разбіўка выпраменьвальніка (макс.) : 1200V

Ток - калекцыянер (Ic) (макс.) : 70A

Магутнасць - Макс : 312W

Vce (на) (Max) @ Vge, Ic : 3.7V @ 15V, 50A

Ток - адключэнне калекцыі (макс.) : 250µA

Ёмістасць уводу (Cies) @ Vce : 3.45nF @ 25V

Увод : Standard

NTC-цеплавізатар : Yes

Працоўная тэмпература : -

Тып мантажу : Chassis Mount

Пакет / футляр : SP3

Пакет прылад пастаўшчыка : SP3

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў

VS-GT175DA120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 288A 1087W SOT-227.
VS-CPV363M4KPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.
VS-GT100NA120UX

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.
VS-GT100LA120UX

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.
VS-GT100DA60U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 600V 184A 577W SOT-227.
VS-GT100DA120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 258A 893W SOT-227.

Гарачыя часткі