Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-GB50LP120N

KEY Part #: K6533288

VS-GB50LP120N Цэнаўтварэнне (USD) [1544шт шт]

  • 1 pcs$28.02579
  • 24 pcs$26.69129

Частка нумар:
VS-GB50LP120N
Вытворца:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Падрабязнае апісанне:
IGBT 1200V 100A 446W INT-A-PAK.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Дыёды - Зэнер - Масівы, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Тырыстары - SCR - Модулі and Транзістары - IGBT - масівы ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GB50LP120N. VS-GB50LP120N можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-GB50LP120N Атрыбуты прадукту

Частка нумар : VS-GB50LP120N
Вытворца : Vishay Semiconductor Diodes Division
Апісанне : IGBT 1200V 100A 446W INT-A-PAK
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып IGBT : -
Канфігурацыя : Single
Напружанне - Разбіўка выпраменьвальніка (макс.) : 1200V
Ток - калекцыянер (Ic) (макс.) : 100A
Магутнасць - Макс : 446W
Vce (на) (Max) @ Vge, Ic : 1.7V @ 15V, 50A (Typ)
Ток - адключэнне калекцыі (макс.) : 1mA
Ёмістасць уводу (Cies) @ Vce : 4.29nF @ 25V
Увод : Standard
NTC-цеплавізатар : No
Працоўная тэмпература : -40°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Chassis Mount
Пакет / футляр : INT-A-PAK (3 + 4)
Пакет прылад пастаўшчыка : INT-A-PAK

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • VS-ETL015Y120H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 22A 89W EMIPAK-2B. Rectifiers 15A Dbl Interleaved Boost Converter

  • VS-ETF150Y65U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • VS-ETF075Y60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 109A 294W EMIPAK-2B.

  • APT85GR120JD60

    Microsemi Corporation

    IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP.

  • APTGT100DU60TG

    Microsemi Corporation

    POWER MOD IGBT TRENCH DL SRC SP4.

  • MG06400D-BN4MM

    Littelfuse Inc.

    IGBT 600V 500A 1250W PKG D.