ON Semiconductor - FDMS0312AS

KEY Part #: K6392779

FDMS0312AS Цэнаўтварэнне (USD) [454074шт шт]

  • 1 pcs$0.08186
  • 3,000 pcs$0.08146

Частка нумар:
FDMS0312AS
Вытворца:
ON Semiconductor
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 30V 18A PT8.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Тырыстары - TRIAC, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Тырыстары - SCR - Модулі, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя and Транзістары - спецыяльнага прызначэння ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах ON Semiconductor FDMS0312AS. FDMS0312AS можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDMS0312AS Атрыбуты прадукту

Частка нумар : FDMS0312AS
Вытворца : ON Semiconductor
Апісанне : MOSFET N-CH 30V 18A PT8
Серыя : PowerTrench®, SyncFET™
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 30V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 18A (Ta), 22A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 3V @ 1mA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 31nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 1815pF @ 15V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 2.5W (Ta), 36W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : 8-PQFN (5x6)
Пакет / футляр : 8-PowerTDFN

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў