Infineon Technologies - IPP70N10S312AKSA1

KEY Part #: K6402733

IPP70N10S312AKSA1 Цэнаўтварэнне (USD) [48456шт шт]

  • 1 pcs$0.74004
  • 10 pcs$0.66896
  • 100 pcs$0.53768
  • 500 pcs$0.41820
  • 1,000 pcs$0.32777

Частка нумар:
IPP70N10S312AKSA1
Вытворца:
Infineon Technologies
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - IGBT - масівы, Модулі драйвераў харчавання, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Дыёды - РФ, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Тырыстары - SCR and Дыёды - выпрамнікі - масівы ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies IPP70N10S312AKSA1. IPP70N10S312AKSA1 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPP70N10S312AKSA1 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IPP70N10S312AKSA1
Вытворца : Infineon Technologies
Апісанне : MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3
Серыя : OptiMOS™
Статус часткі : Not For New Designs
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 100V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 70A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11.6 mOhm @ 70A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4V @ 83µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 66nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 4355pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 125W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : PG-TO220-3-1
Пакет / футляр : TO-220-3

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • BS170PSTOB

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3.

  • DN2540N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 400V 0.12A TO92-3.

  • GP1M003A080CH

    Global Power Technologies Group

    MOSFET N-CH 800V 3A DPAK.

  • GP2M008A060CG

    Global Power Technologies Group

    MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK.

  • AUIRFR540Z

    Infineon Technologies

    MOSFET N CH 100V 35A DPAK.

  • GP2M004A065CG

    Global Power Technologies Group

    MOSFET N-CH 650V 4A DPAK.