Infineon Technologies - IPA80R600P7XKSA1

KEY Part #: K6417973

IPA80R600P7XKSA1 Цэнаўтварэнне (USD) [47232шт шт]

  • 1 pcs$0.85292
  • 10 pcs$0.77181
  • 100 pcs$0.62038
  • 500 pcs$0.48250
  • 1,000 pcs$0.39979

Частка нумар:
IPA80R600P7XKSA1
Вытворца:
Infineon Technologies
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CHANNEL 800V 8A TO220.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Тырыстары - SCR, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Тырыстары - SCR - Модулі, Модулі драйвераў харчавання, Транзістары - JFET, Транзістары - спецыяльнага прызначэння and Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies IPA80R600P7XKSA1. IPA80R600P7XKSA1 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPA80R600P7XKSA1 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IPA80R600P7XKSA1
Вытворца : Infineon Technologies
Апісанне : MOSFET N-CHANNEL 800V 8A TO220
Серыя : CoolMOS™ P7
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 800V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 8A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 600 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 3.5V @ 170µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 20nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 570pF @ 500V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 28W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : PG-TO220 Full Pack
Пакет / футляр : TO-220-3 Full Pack

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • BS107P

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3.

  • 2N7000TA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92.

  • IXTY2N100P

    IXYS

    MOSFET N-CH 1000V 2A TO-252.

  • IRFR4510TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N CH 100V 56A DPAK.

  • AUIRFR2905Z

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

  • IPA65R190E6XKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220.