Diodes Incorporated - DMTH6005LCT

KEY Part #: K6397633

DMTH6005LCT Цэнаўтварэнне (USD) [80316шт шт]

  • 1 pcs$0.48684
  • 50 pcs$0.45715

Частка нумар:
DMTH6005LCT
Вытворца:
Diodes Incorporated
Падрабязнае апісанне:
MOSFET NCH 60V 100A TO220AB.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - Зэнер - Масівы, Тырыстары - SCR, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ and Дыёды - Мастовыя выпрамнікі ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Diodes Incorporated DMTH6005LCT. DMTH6005LCT можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMTH6005LCT Атрыбуты прадукту

Частка нумар : DMTH6005LCT
Вытворца : Diodes Incorporated
Апісанне : MOSFET NCH 60V 100A TO220AB
Серыя : Automotive, AEC-Q101
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 60V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 100A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 47.1nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 2962pF @ 30V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 2.8W (Ta), 125W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-220AB
Пакет / футляр : TO-220-3

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • TN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • FDD9407L-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 100A.

  • FDD86250-F085

    ON Semiconductor

    NMOS DPAK 150V 22 MOHM.

  • TK290A65Y,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220SIS.

  • TK22A10N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 52A TO-220.

  • TK35A08N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 80V 35A TO-220.