SBAS16XV2T1G Цэнаўтварэнне (USD) [1157443шт шт]
- 1 pcs$0.03339
- 3,000 pcs$0.03322
- 6,000 pcs$0.02990
- 15,000 pcs$0.02658
- 30,000 pcs$0.02492
- 75,000 pcs$0.02215
- Частка нумар:
- SBAS16XV2T1G
- Вытворца:
- ON Semiconductor
- Падрабязнае апісанне:
- DIODE GEN PURP 75V 200MA SOD523. Diodes - General Purpose, Power, Switching SS SWITCHING DIODE
- Manufacturer's standard lead time:
- У наяўнасці
- Тэрмін прыдатнасці:
- Адзін год
- Фішка ад:
- Ганконг
- RoHS:
- Спосаб аплаты:
-
- Адгрузка спосабам:
- Катэгорыі сям'і:
- KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - TRIAC, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Модулі драйвераў харчавання, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі and Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors) ...
- Канкурэнтная перавага:
- Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах ON Semiconductor SBAS16XV2T1G. SBAS16XV2T1G можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
SBAS16XV2T1G Атрыбуты прадукту
Частка нумар :
SBAS16XV2T1G
Вытворца :
ON Semiconductor
Апісанне :
DIODE GEN PURP 75V 200MA SOD523
Серыя :
-
Статус часткі :
Active
Дыёдны тып :
Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) :
75V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) :
200mA (DC)
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі :
1.25V @ 150mA
Хуткасць :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Рэверсны час аднаўлення (TRR) :
6ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr :
1µA @ 75V
Ёмістасць @ Vr, F :
2pF @ 0V, 1MHz
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет / футляр :
SC-79, SOD-523
Пакет прылад пастаўшчыка :
SOD-523
Працоўная тэмпература - развязка :
-55°C ~ 150°C
Апошнія навіны
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
-
CSD01060E
Cree/Wolfspeed
DIODE SCHOTTKY 600V 1A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers 1A 600V SIC SCHOTTKY DIODE
-
RURD660S9A
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 600V 6A TO252-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 6A 600V
-
BAS116E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
VS-30WQ06FNHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 60V 3.5A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3
-
-
VS-30EPH03PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 300V 30A TO247AC. Rectifiers 300 Volt 30 Amp
Гарачыя часткі
- MBR0520L_G
- SB540-B
- RL102-N-0-4-AP
- CR3F-060GPP BK
- CD0603-B0130
- 1N4006 BK
- 1N4936GP-M3/73
- AK 09
- FMY-1036S
- VS-VSKE270-20
- CD214B-B160LF
- CDBMTS230-HF
- CDBMT150-HF
- IDV05S60CXKSA1
- IDT05S60CHKSA1
- DSB5821
- SSA23LHE3/5AT
- GP10GHE3/73
- FFPF15UP20STTU
- FFD06UP20S
- CEFB104-G
- VS-8ETL06SPBF
- FR1A-13-F
- BYD37M,115
- 10ETF10S
- HER601-T
- FR302-T
- MBRS2040LT3H
- BY133-TP
- 1A5-TP
- GIB1402-E3/81
- SK86C R7G
- VS-15EVH06-M3/I
- UH4PCCHM3_A/H
- STTH3R02AFY
- 1N4947GP-E3/53
- U2D-M3/52T
- RBR3LAM30BTFTR
- RGP10JE-E3/54
- BYW27-200GP-E3/54