Vishay Siliconix - SQD19P06-60L_GE3

KEY Part #: K6416039

SQD19P06-60L_GE3 Цэнаўтварэнне (USD) [130121шт шт]

  • 1 pcs$0.69823
  • 10 pcs$0.61670
  • 100 pcs$0.48746
  • 500 pcs$0.37802
  • 1,000 pcs$0.28230

Частка нумар:
SQD19P06-60L_GE3
Вытворца:
Vishay Siliconix
Падрабязнае апісанне:
MOSFET P-CH 60V 20A TO252.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Тырыстары - SCR - Модулі, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Модулі драйвераў харчавання, Транзістары - JFET and Тырыстары - DIAC, SIDAC ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Siliconix SQD19P06-60L_GE3. SQD19P06-60L_GE3 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQD19P06-60L_GE3 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : SQD19P06-60L_GE3
Вытворца : Vishay Siliconix
Апісанне : MOSFET P-CH 60V 20A TO252
Серыя : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Статус часткі : Active
Тып FET : P-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 60V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 20A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 55 mOhm @ 19A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 41nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 1490pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 46W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-252, (D-Pak)
Пакет / футляр : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • ZVNL110A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

  • VN10LP

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

  • IRLR2905TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

  • IRLR2703TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 23A DPAK.

  • IRFR024NTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

  • IRFR120NTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK.