Toshiba Semiconductor and Storage - TK30A06N1,S4X

KEY Part #: K6398141

TK30A06N1,S4X Цэнаўтварэнне (USD) [99490шт шт]

  • 1 pcs$0.43064
  • 50 pcs$0.31426
  • 100 pcs$0.27369
  • 500 pcs$0.20273
  • 1,000 pcs$0.16219

Частка нумар:
TK30A06N1,S4X
Вытворца:
Toshiba Semiconductor and Storage
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 60V 30A TO-220.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Модулі драйвераў харчавання, Тырыстары - SCR - Модулі, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Дыёды - Зэнер - Масівы, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Тырыстары - TRIAC and Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Toshiba Semiconductor and Storage TK30A06N1,S4X. TK30A06N1,S4X можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK30A06N1,S4X Атрыбуты прадукту

Частка нумар : TK30A06N1,S4X
Вытворца : Toshiba Semiconductor and Storage
Апісанне : MOSFET N-CH 60V 30A TO-220
Серыя : U-MOSVIII-H
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 60V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 30A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 15 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4V @ 200µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 16nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 1050pF @ 30V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 25W (Tc)
Працоўная тэмпература : 150°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-220SIS
Пакет / футляр : TO-220-3 Full Pack

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • VN4012L-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 400V 0.16A TO92-3.

  • TP0604N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 40V 430MA TO92-3.

  • VN3205N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 50V 1.2A TO92-3.

  • TK28A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 27.6A TO-220SIS.

  • RCX300N20

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 200V 30A TO220.

  • TK11A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 11.1A TO-220.