Diodes Incorporated - DMN1150UFB-7B

KEY Part #: K6416497

DMN1150UFB-7B Цэнаўтварэнне (USD) [1272399шт шт]

  • 1 pcs$0.02907
  • 10,000 pcs$0.02610

Частка нумар:
DMN1150UFB-7B
Вытворца:
Diodes Incorporated
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Тырыстары - SCR - Модулі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Дыёды - РФ, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы and Тырыстары - DIAC, SIDAC ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Diodes Incorporated DMN1150UFB-7B. DMN1150UFB-7B можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN1150UFB-7B Атрыбуты прадукту

Частка нумар : DMN1150UFB-7B
Вытворца : Diodes Incorporated
Апісанне : MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 12V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 1.41A (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 150 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (й) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 1.5nC @ 4.5V
Vgs (макс.) : ±6V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 106pF @ 10V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 500mW (Ta)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : 3-DFN1006 (1.0x0.6)
Пакет / футляр : 3-UFDFN

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • BS270

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 400MA TO-92.

  • IRLR8726TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 86A DPAK.

  • FQD2N90TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK.

  • FDD16AN08A0

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 75V 50A D-PAK.

  • IRFR3710ZTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 42A DPAK.

  • FDD6685

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 30V 11A DPAK.