Infineon Technologies - IRF520NPBF

KEY Part #: K6400901

IRF520NPBF Цэнаўтварэнне (USD) [85018шт шт]

  • 1 pcs$0.45991
  • 10 pcs$0.40723
  • 100 pcs$0.30442
  • 500 pcs$0.23607
  • 1,000 pcs$0.18638

Частка нумар:
IRF520NPBF
Вытворца:
Infineon Technologies
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-220AB.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Тырыстары - SCR - Модулі, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Дыёды - РФ, Дыёды - выпрамнікі - масівы and Транзістары - спецыяльнага прызначэння ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies IRF520NPBF. IRF520NPBF можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF520NPBF Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IRF520NPBF
Вытворца : Infineon Technologies
Апісанне : MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-220AB
Серыя : HEXFET®
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 100V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 9.7A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 200 mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 25nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 330pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 48W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-220AB
Пакет / футляр : TO-220-3

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • IRLR2905ZPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

  • IXTY1R4N60P TRL

    IXYS

    MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK.

  • FDD8444-F085P

    ON Semiconductor

    NMOS DPAK 40V 5.2 MOHM.

  • FDD4243-F085P

    ON Semiconductor

    PMOS DPAK 40V 44 MOHM.

  • 2SK3045

    Panasonic Electronic Components

    MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220D.

  • IPB04N03LA

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK.