GeneSiC Semiconductor - 1N1190A

KEY Part #: K6440866

Катэгорыі сям'і:: KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Транзістары - IGBT - масівы and Транзістары - IGBT - Модулі ...

Канкурэнтная перавага:: Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах GeneSiC Semiconductor 1N1190A. 1N1190A можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com

Частка нумар : 1N1190A

Вытворца : GeneSiC Semiconductor

Апісанне : DIODE GEN PURP 600V 40A DO5

Серыя : -

Статус часткі : Active

Дыёдны тып : Standard

Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 600V

Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 40A

Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1.1V @ 40A

Хуткасць : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Рэверсны час аднаўлення (TRR) : -

Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 10µA @ 50V

Ёмістасць @ Vr, F : -

Тып мантажу : Chassis, Stud Mount

Пакет / футляр : DO-203AB, DO-5, Stud

Пакет прылад пастаўшчыка : DO-5

Працоўная тэмпература - развязка : -65°C ~ 190°C

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў

RURD420S9A_T

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 200V 4A TO252.
VS-20ETF10PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 1KV 20A TO220FP.
UHB10FT-E3/4W

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 300V 10A TO263AB.
BAT43 A0G

Taiwan Semiconductor Corporation

DIODE SCHOTTKY 30V 200MA DO35.
FR207TA

SMC Diode Solutions

DIODE GEN PURP 1KV 2A DO15.
MBRB4030G

ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 30V 40A D2PAK. Schottky Diodes & Rectifiers 40A 30V

Гарачыя часткі