ON Semiconductor - FDN5618P

KEY Part #: K6418666

FDN5618P Цэнаўтварэнне (USD) [491493шт шт]

  • 1 pcs$0.07563
  • 3,000 pcs$0.07526

Частка нумар:
FDN5618P
Вытворца:
ON Semiconductor
Падрабязнае апісанне:
MOSFET P-CH 60V 1.25A SSOT3.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Транзістары - IGBT - Модулі and Транзістары - JFET ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах ON Semiconductor FDN5618P. FDN5618P можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDN5618P Атрыбуты прадукту

Частка нумар : FDN5618P
Вытворца : ON Semiconductor
Апісанне : MOSFET P-CH 60V 1.25A SSOT3
Серыя : PowerTrench®
Статус часткі : Active
Тып FET : P-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 60V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 1.25A (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 170 mOhm @ 1.25A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 13.8nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 430pF @ 30V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 500mW (Ta)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : SuperSOT-3
Пакет / футляр : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • FDD8896

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 94A DPAK.

  • IXTY24N15T

    IXYS

    MOSFET N-CH 150V 24A TO-252.

  • IXTY15N20T

    IXYS

    MOSFET N-CH 200V 15A TO-252.

  • TK7A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 6.8A TO-220SIS.

  • IPA65R380C6XKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220.

  • IRFIB41N15DPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 150V 41A TO220FP.