Infineon Technologies - IDW15E65D2FKSA1

KEY Part #: K6441270

IDW15E65D2FKSA1 Цэнаўтварэнне (USD) [37259шт шт]

  • 1 pcs$0.73167
  • 10 pcs$0.65725
  • 100 pcs$0.52814
  • 500 pcs$0.43391
  • 1,000 pcs$0.34009

Частка нумар:
IDW15E65D2FKSA1
Вытворца:
Infineon Technologies
Падрабязнае апісанне:
DIODE GEN PURP 650V 30A TO247-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching IGBT PRODUCTS
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Транзістары - IGBT - масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Дыёды - выпрамнікі - масівы and Дыёды - Зэнер - Адзінокі ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies IDW15E65D2FKSA1. IDW15E65D2FKSA1 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IDW15E65D2FKSA1 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IDW15E65D2FKSA1
Вытворца : Infineon Technologies
Апісанне : DIODE GEN PURP 650V 30A TO247-3
Серыя : -
Статус часткі : Active
Дыёдны тып : Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 650V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 30A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 2.3V @ 15A
Хуткасць : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 47ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 40µA @ 650V
Ёмістасць @ Vr, F : -
Тып мантажу : Through Hole
Пакет / футляр : TO-247-3
Пакет прылад пастаўшчыка : PG-TO247-3
Працоўная тэмпература - развязка : -40°C ~ 175°C

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • VS-HFA04SD60S-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 4A TO252AA. Diodes - General Purpose, Power, Switching 4A 600V Ultrafast 17ns HEXFRED

  • VS-EPH3006LHN3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD. Rectifiers 600V 30A FRED Pt TO-247 LL 2L

  • SFA808G C0G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC. Rectifiers 35ns8A 600V Sp Fst Recov Rectifier

  • STTH3010PI

    STMicroelectronics

    DIODE GEN PURP 1KV 30A DOP3I. Diodes - General Purpose, Power, Switching high voltage diode

  • FERD30SM100ST

    STMicroelectronics

    DIODE RECT 100V 30A TO220AB. Rectifiers Field Effect Rectifier

  • SICR10650

    SMC Diode Solutions

    DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S.