Diodes Incorporated - DMN2050L-7

KEY Part #: K6419788

DMN2050L-7 Цэнаўтварэнне (USD) [618813шт шт]

  • 1 pcs$0.06099
  • 3,000 pcs$0.06069

Частка нумар:
DMN2050L-7
Вытворца:
Diodes Incorporated
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 20V 5.9A SOT23-3.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Тырыстары - SCR, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Дыёды - Зэнер - Масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы and Модулі драйвераў харчавання ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Diodes Incorporated DMN2050L-7. DMN2050L-7 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN2050L-7 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : DMN2050L-7
Вытворца : Diodes Incorporated
Апісанне : MOSFET N-CH 20V 5.9A SOT23-3
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 20V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 5.9A (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 29 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (й) (Max) @ Id : 1.4V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 6.7nC @ 4.5V
Vgs (макс.) : ±12V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 532pF @ 10V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 1.4W (Ta)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : SOT-23-3
Пакет / футляр : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • 2N7000

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92.

  • AUIRFR3806TRL

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 43A DPAK.

  • AUIRFR5505TRL

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 55V 18A DPAK.

  • TK60S06K3L(T6L1,NQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 60A DPAK-3.

  • TK65S04K3L(T6L1,NQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 40V 65A DPAK-3.

  • AUIRLR3410TR

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 17A DPAK.