ON Semiconductor - FDD850N10LD

KEY Part #: K6420305

FDD850N10LD Цэнаўтварэнне (USD) [180202шт шт]

  • 1 pcs$0.20526
  • 2,500 pcs$0.18028

Частка нумар:
FDD850N10LD
Вытворца:
ON Semiconductor
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 100V 15.3A DPAK.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - IGBT - масівы, Транзістары - IGBT - Модулі, Транзістары - JFET, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі and Дыёды - выпрамнікі - масівы ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах ON Semiconductor FDD850N10LD. FDD850N10LD можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDD850N10LD Атрыбуты прадукту

Частка нумар : FDD850N10LD
Вытворца : ON Semiconductor
Апісанне : MOSFET N-CH 100V 15.3A DPAK
Серыя : PowerTrench®
Статус часткі : Last Time Buy
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 100V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 15.3A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 75 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 28.9nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 1465pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 42W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-252-4L
Пакет / футляр : TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў