Nexperia USA Inc. - PSMN030-150B,118

KEY Part #: K6401343

PSMN030-150B,118 Цэнаўтварэнне (USD) [3084шт шт]

  • 4,800 pcs$0.33866

Частка нумар:
PSMN030-150B,118
Вытворца:
Nexperia USA Inc.
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 150V 55.5A D2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - DIAC, SIDAC, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Дыёды - РФ, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Тырыстары - SCR - Модулі, Транзістары - IGBT - масівы and Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Nexperia USA Inc. PSMN030-150B,118. PSMN030-150B,118 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PSMN030-150B,118 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : PSMN030-150B,118
Вытворца : Nexperia USA Inc.
Апісанне : MOSFET N-CH 150V 55.5A D2PAK
Серыя : TrenchMOS™
Статус часткі : Obsolete
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 150V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 55.5A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 30 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 98nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 3680pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 250W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : D2PAK
Пакет / футляр : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў