Vishay Siliconix - IRFBE30LPBF

KEY Part #: K6399531

IRFBE30LPBF Цэнаўтварэнне (USD) [28953шт шт]

  • 1 pcs$1.38380
  • 10 pcs$1.24894
  • 100 pcs$0.95201
  • 500 pcs$0.74046
  • 1,000 pcs$0.61352

Частка нумар:
IRFBE30LPBF
Вытворца:
Vishay Siliconix
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - выпрамнікі - масівы, Дыёды - РФ, Тырыстары - TRIAC, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы and Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors) ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Siliconix IRFBE30LPBF. IRFBE30LPBF можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFBE30LPBF Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IRFBE30LPBF
Вытворца : Vishay Siliconix
Апісанне : MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 800V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 4.1A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 78nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 1300pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 125W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : I2PAK
Пакет / футляр : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • VN2210N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 100V 1.2A TO92-3.

  • TN0110N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3.

  • ZVP0545A

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 450V 0.045A TO92-3.

  • TN2540N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 400V 0.175A TO92-3.

  • VN0300L-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 30V 640MA TO92-3.

  • TP0606N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3.