Infineon Technologies - IPLU300N04S4R8XTMA1

KEY Part #: K6402110

IPLU300N04S4R8XTMA1 Цэнаўтварэнне (USD) [30758шт шт]

  • 1 pcs$1.33991
  • 2,000 pcs$1.06023

Частка нумар:
IPLU300N04S4R8XTMA1
Вытворца:
Infineon Technologies
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 40V 300A 8HSOF.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Модулі драйвераў харчавання, Тырыстары - SCR, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Тырыстары - TRIAC, Транзістары - JFET, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы and Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies IPLU300N04S4R8XTMA1. IPLU300N04S4R8XTMA1 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPLU300N04S4R8XTMA1 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IPLU300N04S4R8XTMA1
Вытворца : Infineon Technologies
Апісанне : MOSFET N-CH 40V 300A 8HSOF
Серыя : OptiMOS™
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 40V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 300A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 0.77 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4V @ 230µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 287nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 22945pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 429W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : PG-HSOF-8-1
Пакет / футляр : 8-PowerSFN

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • ZVN3310ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3.

  • BS107PSTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3.

  • ZVN2106ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.45A TO92-3.

  • LND150N3-G-P003

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3.

  • ZVN2110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

  • ZVP2110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 100V 0.23A TO92-3.