Infineon Technologies - IRF1010EZSTRLP

KEY Part #: K6399299

IRF1010EZSTRLP Цэнаўтварэнне (USD) [101731шт шт]

  • 1 pcs$0.38436
  • 800 pcs$0.32931

Частка нумар:
IRF1010EZSTRLP
Вытворца:
Infineon Technologies
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - IGBT - масівы, Тырыстары - TRIAC, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Дыёды - Зэнер - Масівы, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Тырыстары - SCR - Модулі and Модулі драйвераў харчавання ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies IRF1010EZSTRLP. IRF1010EZSTRLP можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF1010EZSTRLP Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IRF1010EZSTRLP
Вытворца : Infineon Technologies
Апісанне : MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Серыя : HEXFET®
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 60V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 75A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.5 mOhm @ 51A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4V @ 100µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 86nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 2810pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 140W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : D2PAK
Пакет / футляр : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў