Вытворца :
ON Semiconductor
Апісанне :
MOSFET P-CH 20V 2.2A SSOT-6
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
20V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
2.2A (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
150 mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs (й) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
5.2nC @ 4.5V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
369pF @ 10V
Функцыя FET :
Schottky Diode (Isolated)
Рассейванне магутнасці (макс.) :
960mW (Ta)
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
SuperSOT™-6
Пакет / футляр :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6