Infineon Technologies - IPP60R125P6XKSA1

KEY Part #: K6416756

IPP60R125P6XKSA1 Цэнаўтварэнне (USD) [18229шт шт]

  • 1 pcs$1.95230
  • 10 pcs$1.74341
  • 100 pcs$1.42976
  • 500 pcs$1.09837
  • 1,000 pcs$0.92634

Частка нумар:
IPP60R125P6XKSA1
Вытворца:
Infineon Technologies
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 600V TO220-3.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Транзістары - IGBT - масівы, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя and Дыёды - РФ ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies IPP60R125P6XKSA1. IPP60R125P6XKSA1 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPP60R125P6XKSA1 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IPP60R125P6XKSA1
Вытворца : Infineon Technologies
Апісанне : MOSFET N-CH 600V TO220-3
Серыя : CoolMOS™ P6
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 600V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 30A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 125 mOhm @ 11.6A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4.5V @ 960µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 56nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 2660pF @ 100V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 219W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : PG-TO220-3
Пакет / футляр : TO-220-3

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • ZVP3306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 60V 160MA TO92-3.

  • ZVN4206A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3.

  • ZVN2110A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

  • 2N7000BU

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92.

  • ZVN4424A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 240V 260MA TO92-3.

  • BS170-D75Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.