IXYS - IXTT12N150

KEY Part #: K6394846

IXTT12N150 Цэнаўтварэнне (USD) [9721шт шт]

  • 1 pcs$4.68680
  • 60 pcs$4.66349

Частка нумар:
IXTT12N150
Вытворца:
IXYS
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 1500V 12A TO-268.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Транзістары - IGBT - масівы, Модулі драйвераў харчавання, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Тырыстары - TRIAC, Транзістары - IGBT - Модулі and Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах IXYS IXTT12N150. IXTT12N150 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTT12N150 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IXTT12N150
Вытворца : IXYS
Апісанне : MOSFET N-CH 1500V 12A TO-268
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 1500V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 12A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2 Ohm @ 6A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 106nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±30V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 3720pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 890W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-268
Пакет / футляр : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў