GeneSiC Semiconductor - GA04JT17-247

KEY Part #: K6397545

Катэгорыі сям'і:: KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя and Дыёды - выпрамнікі - масівы ...

Канкурэнтная перавага:: Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах GeneSiC Semiconductor GA04JT17-247. GA04JT17-247 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com

Частка нумар : GA04JT17-247

Вытворца : GeneSiC Semiconductor

Апісанне : TRANS SJT 1700V 4A TO-247AB

Серыя : -

Статус часткі : Active

Тып FET : -

Тэхналогіі : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 1700V

Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 4A (Tc) (95°C)

Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 480 mOhm @ 4A

Vgs (й) (Max) @ Id : -

Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : -

Vgs (макс.) : -

Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : -

Функцыя FET : -

Рассейванне магутнасці (макс.) : 106W (Tc)

Працоўная тэмпература : 175°C (TJ)

Тып мантажу : Through Hole

Пакет прылад пастаўшчыка : TO-247AB

Пакет / футляр : TO-247-3

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў

FCD3400N80Z

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 800V 2A DPAK.
FCD260N65S3

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 260MOHM TO252.
FCD7N60TM

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 600V 7A DPAK.
FCD2250N80Z

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 800V 2.6A TO252-3.
FDD86250

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 150V 8A DPAK.
TK25A60X5,S5X

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET N-CH 600V 25A TO-220SIS.