Частка нумар :
DMJ70H1D3SI3
Вытворца :
Diodes Incorporated
Апісанне :
MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
700V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
4.6A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.3 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
13.9nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
351pF @ 50V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
41W (Tc)
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу :
Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка :
TO-251
Пакет / футляр :
TO-251-3 Stub Leads, IPak