Vishay Siliconix - SIHA22N60AE-E3

KEY Part #: K6399451

SIHA22N60AE-E3 Цэнаўтварэнне (USD) [23380шт шт]

  • 1 pcs$1.76280
  • 10 pcs$1.57550
  • 100 pcs$1.29191
  • 500 pcs$0.99249
  • 1,000 pcs$0.83704

Частка нумар:
SIHA22N60AE-E3
Вытворца:
Vishay Siliconix
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CHANNEL 600V 20A TO220.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - IGBT - Модулі, Тырыстары - SCR - Модулі, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ and Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Siliconix SIHA22N60AE-E3. SIHA22N60AE-E3 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHA22N60AE-E3 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : SIHA22N60AE-E3
Вытворца : Vishay Siliconix
Апісанне : MOSFET N-CHANNEL 600V 20A TO220
Серыя : E
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 600V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 20A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 180 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 96nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±30V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 1451pF @ 100V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 33W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-220 Full Pack
Пакет / футляр : TO-220-3 Full Pack

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • TP2535N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 350V 0.086A TO92-3.

  • VP0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 60V 0.25A TO92-3.

  • VP0550N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 500V 0.054A TO92-3.

  • VN2210N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 100V 1.2A TO92-3.

  • TN0110N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3.

  • ZVP0545A

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 450V 0.045A TO92-3.