Diodes Incorporated - DMN3112SSS-13

KEY Part #: K6407631

[907шт шт]


    Частка нумар:
    DMN3112SSS-13
    Вытворца:
    Diodes Incorporated
    Падрабязнае апісанне:
    MOSFET N-CH 30V 6A 8SOP.
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - JFET, Модулі драйвераў харчавання, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Дыёды - выпрамнікі - масівы and Тырыстары - SCR ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Diodes Incorporated DMN3112SSS-13. DMN3112SSS-13 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    DMN3112SSS-13 Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : DMN3112SSS-13
    Вытворца : Diodes Incorporated
    Апісанне : MOSFET N-CH 30V 6A 8SOP
    Серыя : -
    Статус часткі : Obsolete
    Тып FET : N-Channel
    Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
    Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 30V
    Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 6A (Ta)
    Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 57 mOhm @ 5.8A, 10V
    Vgs (й) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
    Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : -
    Vgs (макс.) : ±20V
    Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 268pF @ 15V
    Функцыя FET : -
    Рассейванне магутнасці (макс.) : 2.5W (Ta)
    Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Тып мантажу : Surface Mount
    Пакет прылад пастаўшчыка : 8-SOP
    Пакет / футляр : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
    • ZVNL110ASTZ

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

    • ZVN4206AVSTZ

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 0.6A TO92-3.

    • 2N7000-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 60V 0.2A TO92-3.

    • BS170_J35Z

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.

    • IRFR220NTRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 200V 5A DPAK.

    • IRFR3709ZTRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 86A DPAK.